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再超越:探索新型半導(dǎo)體芯片的無(wú)限潛力

更新時(shí)間:2024-02-22點(diǎn)擊次數(shù):414

芯片作為工業(yè)的"糧食" ,一直是全球高科技產(chǎn)業(yè)的重要支柱。在科學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界,大家一直在不斷嘗試?yán)酶鞣N二維材料,開發(fā)出兼具高性能和低功耗的新一代芯片。

二維(2D)層狀半導(dǎo)體,由于具備出色的柵極場(chǎng)穿透的原子厚度,可作為未來(lái)晶體管的通道材料。根據(jù)客戶要求,我們需要在開發(fā)新材料時(shí),不斷地對(duì)樣品進(jìn)行參數(shù)測(cè)定,使之達(dá)到理論設(shè)計(jì)值。測(cè)試參數(shù)包含介電常數(shù)、C-V曲線、I-V曲線、靜態(tài)電容。 

本次我們將通過(guò)TH2838A阻抗分析儀、TH1992B精密源/測(cè)量電源定制上位機(jī)軟件作為部分實(shí)驗(yàn)設(shè)備用于參數(shù)測(cè)定。

 

解決方案

3.1.jpg

 

材料介電常數(shù)分析

介電常數(shù)描述的是材料與電場(chǎng)之間的相互作用,TH2838A系列阻抗分析儀為材料研究和開發(fā)提供了強(qiáng)有力的工具,配合專用材料測(cè)試夾具TH26077以及上位機(jī)軟件可方便、精確的測(cè)量材料在不同頻率下的介電常數(shù)。

I-V曲線測(cè)試

對(duì)功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行靜態(tài)測(cè)試,主要是為了解功率器件的性能。TH199X系列精密源/測(cè)量單元,可輸出高達(dá)±210V直流電壓、±3A直流電流以及±10.5A脈沖電流、最小10fA/100nV的電源和測(cè)量分辨率,并內(nèi)置了二極管、三極管、MOS管以及IGBT等器件的I/V曲線掃描功能,無(wú)需連接上位機(jī)即可完成IV功能測(cè)試。

C-V曲線測(cè)試

C-V特性曲線是用來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料和器件的一種方法,TH2838A+TH1992B的組合方案,也可提供高精度的C-V曲線分析。

在瞬息萬(wàn)變的時(shí)代中,我們深知一個(gè)事實(shí):優(yōu)秀的解決方案能有效地解決您的問(wèn)題。作為專業(yè)的電子測(cè)量測(cè)試綜合解決方案提供商,我們同惠將繼續(xù)根據(jù)大家的不同需求,確定有針對(duì)性且合理的技術(shù)解決方案。


相關(guān)產(chǎn)品:
TH2838A阻抗分析儀
TH1992B高精度源表